UL/FE/UNI-ELT/ONE/Kolokviji/2007-04-23

Iz E-študij, proste zakladnice študentskega znanja

Skoči na: navigacija, iskanje

Kolokvij z dne 23.04.2007
UL/FE/UNI-ELT/ONE

Čas pisanja: 60 minut.
Literatura: ni dovoljena.

1. naloga

Izračunajte lego Fermijevega energijskega nivoja glede na intrinzični Fermijev energijski nivo v n-tipu silicija pri sobni temperaturi, če je koncentracija dodanih donorskih primesi $N_D = 2\times10^{17} \mbox{cm}^{-3}$ in dodanih akceptorskih primesi $N A = 10 16 cm - 3$ .

Rešitev

2. naloga

Idealna silicijeva dioda s stopničastim pn-spojem ima površino $A = 10 - 3 cm 2$ in naslednje snovne parametre: $N_A = 5\times 10^{16} \mbox{cm}^{-3}$ , $N_D = 1\times 10^{16}\,\mbox{cm}^{-3}$ , $D_n = 25\,\mbox{cm}^2/s$ , $D p = 10cm 2 / s$ , $\tau_n = 5 \times 10^{-7}\mbox{s}$ , $\tau_p = 1 \times 10^{-7}\,\mbox{s}$ . Izračunajte difuzijska toka manjšinjskih elektronov in vrzeli na robovih osiromašenega območja in celotni diodni tok, če je na diodo priključena prevodna napetost $U = 0,625V$ .

Rešitev

3. naloga

Izračunajte serijsko notranjo upornost $R n$ diode, pri kateri je pri prevodnem toku $I = 1mA$ na zunanjih priključkih napetost $U = 0,7V$ , pri toku $I = 50\,\mbox{mA}$ pa $U = 1\,\mbox{V}$

Rešitev

4. naloga

Silicijeva dioda s stopničastim $p + n$ -spojem ima površino $A = 10 - 3 cm 2$ , difuzijsko napetost $U D = 0,77V$ in dopiranje n-plasti z $N_D = 1 \times 10^{15} \mbox{cm}^{-3}$ . Izračunajte spojno kapacitivnost diode pri $U = 0V$ in pri zaporni napetosti $U R = 10$ .

Rešitev

Vzpostavljeno iz »http://www.e-studij.si/UL/FE/UNI-ELT/ONE/Kolokviji/2007-04-23«

Kategoriji: UL/FE/UNI-ELT/ONE | Kolokviji

UL/FE/UNI-ELT/ONE/Kolokviji/2007-04-23

Iz E-študij, proste zakladnice študentskega znanja

1. naloga

2. naloga

3. naloga

4. naloga

Osebna orodja

Imenski prostori

Različice

Pogled

Dejanja

Iskanje

navigacija

Tiskanje/izvoz

orodja