Izpit dodamo v seznam z:
* {{DatumIzpita|2012-02-04}} ali z
* {{DatumIzpita|04.02.2012}}

Pisni del

• 21.6.2007
• 13.6.2007

Ustni del

• UL/FE/UNI-ELT/ONE/Izpiti/Ustni

V glavnem Smole zahteva slikice. Pa razumevanje teh slikic. Če si narisal energijske nivoje v npr. npn tranzistorju, pa gostoto naboja, pa potencial in električno polje v njem, potem on pričakuje, da razumeš kaj si narisal. Če te ravno to vpraša. Včasih je dost samo slikica, še posebej če odgovoriš na vsa vprašanja, ki jih postavi.

Ustni so ponavadi v laboratoriju, notri jih gre enih šest (mogoče več), vsak dobi list papirja, Smole postavi vprašanja, študenti pa odgovarjajo na list.

• polprevodnik - nedopiran, dopiran (energijski nivoji)
• spojna kapacitivnost pn-spoja
• ebbers-molov model
• spojni fet z p kanalom (prerez strukture in izhodna karakteristika)
• pnpn dioda

• pn-spoj pri prevodni in zaporni napetosti (potencialni nivoji, koncentracije)
• temperaturna odvinost karakteristike diode
• stikalni casi bipolarnega tranzistorja
• visokofrekvencne lastnosti mos tranzistorja
• tunelska dioda

• pn-spoj v termicnem ravnovesju (prostorski naboj, energijski nivoji, E polje)
• stikalni casi pn-diode
• bipolarni ebers-molov model
• spojni fet z nakanalom (prerez strukture in izhodna karakteristika)
• pnpn dioda

• Temperaturna odvisnost diode
• Stikalni časi bipolarnega tranzistorja
• MOS TRANZISTOR KOT OJAČEVALNIK MAJHNIH SIGNALOV
• PNPN dioda

• pn spoj v termicnem ravnovesju (energijski nivoji, difuzijska napetost)
• Stikalni casi bipolarnega tranzistorja
• Prerez MOS Tranzistorja z vgrajenim p-kanalom.(Izhodna karakteristika)
• pnpn dioda

• Spojna kapacitivnost diode
• Ebers Mollov model bipolarnega tranzistorja
• Spojni FET z n-kanalom
• Tiristor

• Difuzijska kapacitivnost PN-spoja (diode)
• Prebojne napetosti bipolarnega tranzistorja
• MOS tranzistor z induciranim P-kanalom
• Kovina-polprevodnik (Shottky dioda)

• Energijski nivoji: Silicij (čist), dopiran (p in n)
• Spojna kapacitivnost diode (vzrok, uporaba)
• Prerez bipolarnega tranzistorja (tokovi, dogajanje, priključki)
• MOS FET z induciranim p kanalom (prerez, delovanje, izhodna karakteristika, priključki)
• pnpn dioda (princip delovanja, razlaga karakteristike in stanj te diode).

• energijski nivoji in koncentracije pri zaporni napetosti diode
• preklopni casi diode
• ojacanja pri bipolarnem tranzistorju za majhne signale
• mos tranzistor
• tunelska dioda

• linearizacija četveropola (prevodnostni parametri, nap. ojačanje)
• temperaturna odvisnost pn diode
• prebojne lastnosti bipolarnega tranzistorja ( skupna baza, skupni emitor)
• izhodne karakteristike MOS z induciranim n-kanalom v orjent.s skupnim izvorom (delovna premica z Rb)
• tiristor