UL/FE/UNI-ELT/NEL/Izpiti

Iz E-študij, proste zakladnice študentskega znanja

< UL | FE | UNI-ELT | NEL
Skoči na: navigacija, iskanje
Arhiv izpitov
Izpitni roki:
  • dd.mm.2012
  • dd.mm.2012
  • dd.mm.2012
  • dd.mm.2012

Dodaj izpit v arhiv:

Vnesi naslov: UL/FE/UNI-ELT/NEL/Izpiti/2012-02-02 (navodila)


Izpit dodamo v seznam z:
* {{DatumIzpita|2012-02-02}} ali z
* {{DatumIzpita|02.02.2012}}

Pisni

Dovoljene so te enačbe

Ustni

NOVA VPRAŠANJA NA VRHU



Kaj veš povedati o SRH
(zanimalo ga je predvsem, kam vnašajo dovoljena energijska stanja dobri rekombinacijski centri)?
Heterospojni tranzistor
(narišeš mu energ. nivoje, potem razložiš razmerje Jen / Jep).
Kakšne so dobre lastnosti močneje dopirane baze?
Efekti višjega reda pri MOS tranzistor
(poveš en stavek pri vsakem).
Fotonski elementi.
Razlika med LD in LED (glede emisij).

Drugače se pa ne spušča v kake hude podrobnosti.


  • Presežek manjšinskih nosilcev
  • Heterospojni bipolarni tranzistor
  • MOS, efekti višjih redov
  • Sončne celice, lastnosti, parameti

2007

1. Začetni presežek večinskih nosilcev 2. Neki uporaba mos-fet 3. Planarni transistor


  • Začetni presežek večinskih nosilcev (konkretno elektronov), relaksacijski čas...
  • Gummel-Poonov model, katere efekte upošteva, nizka, visoka injekcija
  • Bipolarni tranzistor. Koncentracije, električna polja, izkoristek, transportni faktor...
  • MOS tranzistor. Efekti višjega reda (pri majhnih dimenzijah)...
  • Sončna celica. Delovanje, izkoristki...
  • PIN fotodioda. Delovanje, električno polje, valovne dolžine...

  • enačbe za opis PPV (transportni, poissonova, kontinuitetni)
  • bipolarc (razni efekti ki dugajajo, pa kako je s polji v bazi, emitorju,...)
  • MOS, C-MOS, pragovna napetost,...
  • klasifikacija fotonskih elemenotov, razlika med LED in LD

  • Opis kontinuitetne enačbe
  • Bipolarni heterospojni tranzistor( delovanje, prednosti, ..)
  • Fotonski elementi (ločitev v skupine in kateri so, kako delujejo, parametri pri sončni celici,..)
  • MOS struktura in cv diagram.





To so vprašanja iz generacije, ki je sedaj 5. letnik (torej leta 2005)
  • Nastej najpomembnejse enaebe za analizo (transportni, Poissonova, kontinuitetni).
  • Kaj se zgodi, ee v ppv injiciramo presezek veeinskih/manjsinskih nosilcev? Kateri delci sodelujejo (vsi!)? Kako je definiran relaksacijski eas? Kaksen je v povezavi z rekombinacijskim?
  • Heterospojni tranzistor. Tuki sm mislu, da precej vem, veliko sem mu tudi povedal. Ampak potem me je spraseval se nekaj o dobrih lastostih visoko dopirane baze, kjer sem se mal zastriku, o

napetostih na emitorsko-baznem spoju itd... Je treba kr obvladat.

  • Laser. Kako deluje. Podobno kot zgoraj, sem tud tuki nekaj povedal o samem delovanju, zgradbi, ustavilo pa se mi je, ko je spraseval po porazdeljenih povratnih sklopih in Braggovem odboju.
  • Presežek manšinskih in večinskih nosilcev,kaj se zgodi,kako lahko na ta čas vplivamo.
  • Tranzistor-epitaksijsko izdelan -kako se razlikuje od tega idealnega, ki smo ga obravnavali lani, graf, kako in zakaj je tako bolje kot je, el polja v bazi, emitorju,difuzjska in konduktivna komponenta toka v bazi emitorju,
  • Izkoristek emitorja
  • Gummel -Poonov model-katere lastnosti vse upošteva-ne pozabte na visoko injekcijo! -kaj se takrat zgodi, kako je z bazo in izkoristkom emitorja.
  • Sončne celice -kako delujejo in kakšen je izkoristek
  • Schotky-a, Gummel-Punna in fotodetektorje.
  • zacetni presezek vecinskih nabojev, enacba relaksacijskega casa
  • izkoristek emitorja in transportni izkoristek v tranzistorju z difundirano bazo in emitorjem (električna polja)
  • kako dolocimo tip MOS kondenzatorja s C(U) grafa (tip polprevodnika)
  • glavni procesi v soncni celici, laserju in LED diodi (absorpcija, stimulirana emisija, spontana emisija)
  • Energijske nivoje v polprevodniskih strukturah, pa fotonske elemente ima zelo rad (laser & Co). :Predvsem to zadnje mislim da je vprasal (skoraj) vse.
Osebna orodja
Imenski prostori
Različice
Dejanja
navigacija

Tiskanje/izvoz
orodja