UL/FE/UNI-ELT/NEL/Izpiti
Iz E-študij, proste zakladnice študentskega znanja
Arhiv izpitov
| Izpitni roki: |
- dd.mm.2012
- dd.mm.2012
- dd.mm.2012
- dd.mm.2012
| Dodaj izpit v arhiv: |
Vnesi naslov: UL/FE/UNI-ELT/NEL/Izpiti/2012-02-02 (navodila)
Izpit dodamo v seznam z:
* {{DatumIzpita|2012-02-02}} ali z
* {{DatumIzpita|02.02.2012}}
Pisni
Dovoljene so te enačbe
Ustni
- NOVA VPRAŠANJA NA VRHU
- Kaj veš povedati o SRH
- (zanimalo ga je predvsem, kam vnašajo dovoljena energijska stanja dobri rekombinacijski centri)?
- Heterospojni tranzistor
- (narišeš mu energ. nivoje, potem razložiš razmerje Jen / Jep).
- Kakšne so dobre lastnosti močneje dopirane baze?
- Efekti višjega reda pri MOS tranzistor
- (poveš en stavek pri vsakem).
- Fotonski elementi.
- Razlika med LD in LED (glede emisij).
Drugače se pa ne spušča v kake hude podrobnosti.
- Presežek manjšinskih nosilcev
- Heterospojni bipolarni tranzistor
- MOS, efekti višjih redov
- Sončne celice, lastnosti, parameti
- 2007
1. Začetni presežek večinskih nosilcev 2. Neki uporaba mos-fet 3. Planarni transistor
- Začetni presežek večinskih nosilcev (konkretno elektronov), relaksacijski čas...
- Gummel-Poonov model, katere efekte upošteva, nizka, visoka injekcija
- Bipolarni tranzistor. Koncentracije, električna polja, izkoristek, transportni faktor...
- MOS tranzistor. Efekti višjega reda (pri majhnih dimenzijah)...
- Sončna celica. Delovanje, izkoristki...
- PIN fotodioda. Delovanje, električno polje, valovne dolžine...
- enačbe za opis PPV (transportni, poissonova, kontinuitetni)
- bipolarc (razni efekti ki dugajajo, pa kako je s polji v bazi, emitorju,...)
- MOS, C-MOS, pragovna napetost,...
- klasifikacija fotonskih elemenotov, razlika med LED in LD
- Opis kontinuitetne enačbe
- Bipolarni heterospojni tranzistor( delovanje, prednosti, ..)
- Fotonski elementi (ločitev v skupine in kateri so, kako delujejo, parametri pri sončni celici,..)
- MOS struktura in cv diagram.
- To so vprašanja iz generacije, ki je sedaj 5. letnik (torej leta 2005)
- Nastej najpomembnejse enaebe za analizo (transportni, Poissonova, kontinuitetni).
- Kaj se zgodi, ee v ppv injiciramo presezek veeinskih/manjsinskih nosilcev? Kateri delci sodelujejo (vsi!)? Kako je definiran relaksacijski eas? Kaksen je v povezavi z rekombinacijskim?
- Heterospojni tranzistor. Tuki sm mislu, da precej vem, veliko sem mu tudi povedal. Ampak potem me je spraseval se nekaj o dobrih lastostih visoko dopirane baze, kjer sem se mal zastriku, o
napetostih na emitorsko-baznem spoju itd... Je treba kr obvladat.
- Laser. Kako deluje. Podobno kot zgoraj, sem tud tuki nekaj povedal o samem delovanju, zgradbi, ustavilo pa se mi je, ko je spraseval po porazdeljenih povratnih sklopih in Braggovem odboju.
- Presežek manšinskih in večinskih nosilcev,kaj se zgodi,kako lahko na ta čas vplivamo.
- Tranzistor-epitaksijsko izdelan -kako se razlikuje od tega idealnega, ki smo ga obravnavali lani, graf, kako in zakaj je tako bolje kot je, el polja v bazi, emitorju,difuzjska in konduktivna komponenta toka v bazi emitorju,
- Izkoristek emitorja
- Gummel -Poonov model-katere lastnosti vse upošteva-ne pozabte na visoko injekcijo! -kaj se takrat zgodi, kako je z bazo in izkoristkom emitorja.
- Sončne celice -kako delujejo in kakšen je izkoristek
- Schotky-a, Gummel-Punna in fotodetektorje.
- zacetni presezek vecinskih nabojev, enacba relaksacijskega casa
- izkoristek emitorja in transportni izkoristek v tranzistorju z difundirano bazo in emitorjem (električna polja)
- kako dolocimo tip MOS kondenzatorja s C(U) grafa (tip polprevodnika)
- glavni procesi v soncni celici, laserju in LED diodi (absorpcija, stimulirana emisija, spontana emisija)
- Energijske nivoje v polprevodniskih strukturah, pa fotonske elemente ima zelo rad (laser & Co). :Predvsem to zadnje mislim da je vprasal (skoraj) vse.