Bralni pomnilnik

Bralni pomnilnik je obstojen, kar pomeni, da se informacija v njem ohrani, tudi ko prekinemo napajanje.

Mask ROM

• Prisotnost ali odsotnost tranzistorja v celici predstavlja logično 0 ali logično 1.
• Vsebina celic je določena že v tovarni - kasneje ni več možno spreminjati.
• Primer: 64Mx8

PROM

(Programmable ROM)

• Poleg tranzistorja je v celici še varovalka (fuse-link).
• Tovarniško so vse celice nastavljene na 1.
• Uporabnik s programatorjem lahko prežge varovalko (postavi vsebino celice na 0).

EPROM

(Erasable Programmable ROM)

• Programator nabije tranzistor v celici.
• Obstojnost naboja 10 let.
• Vsebino (celotnega čipa!) izbrišemo z UV svetilko - na čipu je keramično okence, ki prevaja UV svetlobo. Fotoni tako izbijejo elektrone iz kondenzatorja.

EEPROM

• Električno brisanje.
• Obstojnost 10 let.
• 100.000 brisanj (ob brisanju nastajajo mikronske poškodbe zaporne plasti).

"pravi" EEPROM

• Brišemo/pišemo lahko posamezen bit/bajt/x16.
• Težje ga je naredit, zato manjše kapacitete (npr.: 32Mx16 = 512Mbit).
• NOR

"flash" EEPROM

• Brišemo/pišemo lahko samo cel blok (npr.: 1/16 celega čipa).
• Lažje ga je naredit, zato večje kapacitete (npr. 4Gx8 = 32Gbit).
• NAND